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SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4804BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4804BDY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4804BDY-T1-E3 DatasheetSI4804BDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI4804BDY-E3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
1.1W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
5.7A
Rds-On-Max-Id-Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
11nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
1.1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
22 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
19 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
9 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4804BDY-T1-E, SI4804BDY-T, SI4804BDY, SI4804BD, SI4804B, SI4804, SI480, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***th Star Micro
Transistor MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, NN, REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; N-channel Gate Charge:7nC; No. of Pins:8; Power, Pd:1.1W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V N Channel:0.022ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4804BDY-T1-E3
DISTI # SI4804BDY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4804BDY-T1-E3
    DISTI # SI4804BDY-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI4804BDY-T1-E3
      DISTI # SI4804BDY-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI4804BDY-T1-E3
        DISTI # 781-SI4804BDY-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 7.5A 2W
        RoHS: Compliant        		0
          SI4804BDY-T1-E3Vishay Siliconix5700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET1960
          • 511:$0.3500
          • 90:$0.3920
          • 1:$1.1200
          SI4804BDY-T1-E3Vishay Siliconix 1344
            SI4804BDYT1E3Vishay SemiconductorsINSTOCK1436
              Imagen Parte # Descripción
              SI4804BDY-T1-GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
              SI4804BDY-T1-E3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-VISHAY

              		 IGBT Transistors MOSFET 30V 7.5A 2W
              SI4804B

              Mfr.#: SI4804B

              OMO.#: OMO-SI4804B-1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDT-T1-E3

              Mfr.#: SI4804BDT-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI4804BDT-T1-E3-1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY

              Mfr.#: SI4804BDY

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY-T1

              Mfr.#: SI4804BDY-T1

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY-T1-E3 (PB)

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 (PB)

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-PB--1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY-T1-E3 GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3 GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3-GE3-1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY-T1-E3.

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-E3.

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-E3--1190

              		 Nuevo y original
              SI4804BDY-T1-GE3

              Mfr.#: SI4804BDY-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI4804BDY-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
              Disponibilidad
              Valores:
              Available
              En orden:
              1500
              Ingrese la cantidad:
              El precio actual de SI4804BDY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
              Precio de referencia (USD)
              Cantidad
              Precio unitario
              Ext. Precio
              1
              0,52 US$
              0,52 US$
              10
              0,50 US$
              4,99 US$
              100
              0,47 US$
              47,25 US$
              500
              0,45 US$
              223,15 US$
              1000
              0,42 US$
              420,00 US$
              Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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