TPW4R50ANH,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DSOP Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

92 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

58 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

142 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.73 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

TPW4R50ANH

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

52 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.003457 oz

Tags

TPW4R50A, TPW4R5, TPW4R, TPW4, TPW