NTR4501NST1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

2.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTR4501NST1G

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

NTR4501N, NTR4501, NTR45, NTR4, NTR