CSD18536KCS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

349 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

108 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.51 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

CSD18536KCS

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

312 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

CSD18536, CSD1853, CSD185, CSD18, CSD1, CSD