SI7444DP-T1-E3

SI7444DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7444DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 1.9W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7444DP-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Chips de IC
Serie
SI74xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7444DP-E3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.9 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
30 ns
Hora de levantarse
30 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
6.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
90 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
45 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7444, SI744, SI74, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7444DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7444DP-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 23.6A 1.9W
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.5200
Imagen Parte # Descripción
SI7444DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7444DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-GE3

MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
SI7444DP-T1-E3

Mfr.#: SI7444DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-E3

MOSFET 40V 23.6A 1.9W
SI7444DP-T1-E3

Mfr.#: SI7444DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 1.9W
SI7444DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7444DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7444DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
SI7444DP

Mfr.#: SI7444DP

OMO.#: OMO-SI7444DP-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI7444DP-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,26 US$
2,26 US$
10
2,15 US$
21,52 US$
100
2,04 US$
203,85 US$
500
1,93 US$
962,65 US$
1000
1,81 US$
1 812,00 US$
Empezar con
Nuevos productos
Top