FDP2D3N10C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

222 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

152 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

214 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

FDP2D3N10C

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

222 S

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

74 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

42 ns

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

FDP2, FDP