BC556BZL1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 65 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.3 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

280 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Embalaje:

Ammo Pack

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

- 0.1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

180

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

BC556B, BC556, BC55, BC5