MRF151G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

125 V

Ganar:

14 dB

Potencia de salida:

300 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Doble

Frecuencia de operación:

175 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

MACOM

Pd - Disipación de energía:

500 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

40 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

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