DMHC3025LSDQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A, 4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms, 50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

11.7 nC, 11.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMHC3025

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

8.7 ns, 13.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 4.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.5 ns, 28.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.2 ns, 7.5 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMHC3, DMHC, DMH