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ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA
Mfr. #:
ZXMN6A08E6TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
ZXMN6A08E6TA Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
ZXMN6A08E6TA más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Diodos incorporados
categoria de producto
Chips de IC
Serie
ZXMN6A0
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Unidad de peso
0.000529 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOT-23-6
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-26
Configuración
Drenaje doble simple
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
1.1W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
60V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
459pF @ 40V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
2.8A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
5.8nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
2.1 ns
Hora de levantarse
2.1 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
3.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
150 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
12.3 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
2.6 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
ZXMN6A08E6TA, ZXMN6A08E6T, ZXMN6A08E, ZXMN6A08, ZXMN6A0, ZXMN6A, ZXMN6, ZXMN, ZXM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 60 V 0.08 Ohm Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
***ied Electronics & Automation
MOSFET N-Channel 60V 3.5A SOT23-6
Power MOSFETs
Diodes Inc. continues to expand its portfolio of power MOSFETs with new N- and P-channel devices with breakdown voltages up to 450V and a wide range of package options. The Diodes Inc. MOSFET portfolio is ideally suited to a range of applications, including DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
ZXMN6A08E6TA
DISTI # ZXMN6A08E6CT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		122703In Stock
  • 1000:$0.3461
  • 500:$0.4326
  • 100:$0.5472
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8100
ZXMN6A08E6TA
DISTI # ZXMN6A08E6DKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		122703In Stock
  • 1000:$0.3461
  • 500:$0.4326
  • 100:$0.5472
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8100
ZXMN6A08E6TA
DISTI # ZXMN6A08E6TR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		120000In Stock
  • 15000:$0.2793
  • 6000:$0.2835
  • 3000:$0.3045
ZXMN6A08E6TA
DISTI # ZXMN6A08E6TA		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMN6A08E6TA)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 3000
    ZXMN6A08E6TA
    DISTI # ZXMN6A08E6TA    		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6-Pin SOT-23 T/R (Alt: ZXMN6A08E6TA)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 30000:€0.2599
    • 18000:€0.2729
    • 12000:€0.2769
    • 6000:€0.2809
    • 3000:€0.2959
    ZXMN6A08E6TA
    DISTI # ZXMN6A08E6TA    		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6-Pin SOT-23 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: ZXMN6A08E6TA)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Cut Tape    		Americas - 0
      ZXMN6A08E6TA
      DISTI # 70438836      		Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel 60V 3.5A SOT23-6
      RoHS: Compliant      		0
      • 50:$0.6100
      • 200:$0.5400
      • 500:$0.4800
      • 1000:$0.4300
      ZXMN6A08E6TA
      DISTI # 522-ZXMN6A08E6TA      		Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Chnl UMOS
      RoHS: Compliant      		19236
      • 1:$0.7800
      • 10:$0.6510
      • 100:$0.4200
      • 1000:$0.3360
      Imagen Parte # Descripción
      ZXMN6A09GTA

      Mfr.#: ZXMN6A09GTA

      OMO.#: OMO-ZXMN6A09GTA

      		 MOSFET N-Ch 60V 7.5A
      ZXMN6A07

      Mfr.#: ZXMN6A07

      OMO.#: OMO-ZXMN6A07-1190

      		 Nuevo y original
      ZXMN6A07ZTADIODES

      Mfr.#: ZXMN6A07ZTADIODES

      OMO.#: OMO-ZXMN6A07ZTADIODES-1190

      		 Nuevo y original
      ZXMN6A08E6TA(6A8)

      Mfr.#: ZXMN6A08E6TA(6A8)

      OMO.#: OMO-ZXMN6A08E6TA-6A8--1190

      		 Nuevo y original
      ZXMN6A09GTA

      Mfr.#: ZXMN6A09GTA

      OMO.#: OMO-ZXMN6A09GTA-DIODES

      		 MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
      ZXMN6A08GTA-CUT TAPE

      Mfr.#: ZXMN6A08GTA-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-ZXMN6A08GTA-CUT-TAPE-1190

      		 Nuevo y original
      ZXMN6A09DN8TA-CUT TAPE

      Mfr.#: ZXMN6A09DN8TA-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-ZXMN6A09DN8TA-CUT-TAPE-1190

      		 Nuevo y original
      ZXMN6A25GTA

      Mfr.#: ZXMN6A25GTA

      OMO.#: OMO-ZXMN6A25GTA-DIODES

      		 Darlington Transistors MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
      ZXMN6A11GTA

      Mfr.#: ZXMN6A11GTA

      OMO.#: OMO-ZXMN6A11GTA-DIODES

      		 Darlington Transistors MOSFET 60V N-Chnl UMOS
      ZXMN6A09KTC

      Mfr.#: ZXMN6A09KTC

      OMO.#: OMO-ZXMN6A09KTC-DIODES

      		 IGBT Transistors MOSFET MOSFET N-CH 60V
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      5500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de ZXMN6A08E6TA es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,40 US$
      0,40 US$
      10
      0,38 US$
      3,82 US$
      100
      0,36 US$
      36,17 US$
      500
      0,34 US$
      170,80 US$
      1000
      0,32 US$
      321,50 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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