IPT60R028G7XTMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

123 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

391 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CoolMOS G7

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

2.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Parte # Alias:

IPT60R028G7 SP001579312

Tags

IPT60R028, IPT60R02, IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT