FQD9N08TM

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

210 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.8 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

FQD9N0, FQD9N, FQD9, FQD