FDMS3616S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16 A, 18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC, 31 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W, 1 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

63 S, 84 S

Otoño:

1.4 ns, 2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.7 nS, 3 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 nS, 24 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.7 nS, 9.5 nS

Unidad de peso:

0.003175 oz

Tags

FDMS361, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM