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SI3973DV-T1-E3

SI3973DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3973DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 2.7A 0.83W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI3973DV-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI3973DV-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI3973DV-T1
Unidad de peso
0.000705 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TSOP-6
Tecnología
Si
Número de canales
2 Channel
Configuración
Doble
Tipo transistor
2 P-Channel
Disipación de potencia Pd
830 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
60 ns
Hora de levantarse
60 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
2.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
87 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
30 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI397, SI39, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***eco
DUAL P-CH MOSFET TSOP-6 12V 87MOHM @ 4.5V
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI3973DV-T1-E3
DISTI # 781-SI3973DV-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 2.7A 0.83W
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.3500
  • 6000:$0.3330
  • 9000:$0.3210
  • 24000:$0.3100
Imagen Parte # Descripción
SI3973DV-T1-E3

Mfr.#: SI3973DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-E3

 MOSFET 12V 2.7A 0.83W
SI3973DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3973DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-GE3

 MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
SI3973DV-T1-E3

Mfr.#: SI3973DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-E3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 2.7A 0.83W
SI3973DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3973DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
SI3973DV

Mfr.#: SI3973DV

OMO.#: OMO-SI3973DV-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,46 US$
0,46 US$
10
0,44 US$
4,42 US$
100
0,42 US$
41,85 US$
500
0,40 US$
197,65 US$
1000
0,37 US$
372,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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