AFIC10275NR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 100 V

Ganar:

32.1 dB

Potencia de salida:

250 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-270WB-14

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

978 MHz to 1090 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Número de canales:

1 Channel

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Parte # Alias:

935312592528

Unidad de peso:

0.058255 oz

Tags

AFIC10275N, AFIC1, AFIC, AFI