DMN2004DWKQ-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

540 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

950 pC, 950 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN2004D

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS, 200 mS

Otoño:

10.5 ns, 10.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.3 ns, 7.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.8 ns, 13.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.1 ns, 4.1 ns

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