QS5W1TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-25T-5

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

200 mV

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

270 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

500 at 500 mA, 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QS5W1

Tags

QS5W, QS5