DMT10H072LFDF-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2020-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

62 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Unidad de peso:

0.000229 oz

Tags

DMT10H07, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT