IRFP048NPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

64 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

16 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

89 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

140 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.7 mm

Longitud:

15.87 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

22 S

Otoño:

48 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

78 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

SP001567000

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

IRFP048N, IRFP048, IRFP04, IRFP0, IRFP, IRF