NDT01N60T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

400 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

7.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

NDT01N60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

21.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

NDT01, NDT0, NDT