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SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4834CDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4834CDY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4834CDY-T1-E3 DatasheetSI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P15)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI4834CDY-E3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
2.9W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
950pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
20 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
19 ns 18 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
17 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4834C, SI4834, SI483, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; On State Resistance:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Max Junction Temperature, Tj:150°C; Power Dissipation Pd:1.1W; Rise Time:10ns; Voltage, Vgs th Max:3V; Voltage, Vgs th Min:0.8V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # SI4834CDY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # 781-SI4834CDY-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.2300
  • 10:$1.0100
  • 100:$0.7740
  • 500:$0.6660
  • 1000:$0.5840
SI4834CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		Americas -
    Imagen Parte # Descripción
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3

    		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
    SI4834CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
    SI4834CDY

    Mfr.#: SI4834CDY

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-1190

    		 Nuevo y original
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    3500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de SI4834CDY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    0,81 US$
    0,81 US$
    10
    0,77 US$
    7,68 US$
    100
    0,73 US$
    72,77 US$
    500
    0,69 US$
    343,60 US$
    1000
    0,65 US$
    646,80 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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