BSC057N03MS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.7 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

6.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

BSC057N03MSGATMA1 BSC57N3MSGXT SP000311513

Tags

BSC057N03MSG, BSC057N03M, BSC057N03, BSC057, BSC05, BSC0, BSC