BSH108,215

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

830 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel MOSFET

Ancho:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

2 S

Otoño:

26 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns

Parte # Alias:

BSH108 T/R

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

BSH108, BSH10, BSH1, BSH