ZXMHC3F381N8TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.98 A, 4.13 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

33 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9 nC, 12.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.87 W

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMHC3

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Escribe:

Puente H

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

11.8 S, 14 S

Otoño:

6.3 ns, 21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns, 3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11.5 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.5 ns, 1.9 ns

Unidad de peso:

0.009171 oz

Tags

ZXMHC3F, ZXMHC3, ZXMHC, ZXMH, ZXM