IXTL2x180N10T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.4 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

26.42 mm

Longitud:

20.29 mm

Serie:

IXTL2x180

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

31 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

54 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

33 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTL2x, IXTL2, IXTL, IXT