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RN1130MFV,L3F

RN1130MFV,L3F
Mfr. #:
RN1130MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RN1130MFV,L3F Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1130MFV,L3F DatasheetRN1130MFV,L3F Datasheet (P4)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
Transistores bipolares - Pre-polarizados
RoHS:
Y
Configuración:
Único
Polaridad del transistor:
NPN
Resistencia de entrada típica:
100 kOhms
Relación de resistencia típica:
1
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
SOT-723-3
Colector de CC / Ganancia base hfe Min:
100
Frecuencia máxima de funcionamiento:
250 MHz
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
50 V
Corriente continua del colector:
100 mA
Pd - Disipación de energía:
150 mW
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Serie:
RN1130MFV
Embalaje:
Carrete
Emisor- Voltaje base VEBO:
10 V
Marca:
Toshiba
Número de canales:
1 Channel
Tipo de producto:
BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados
Cantidad de paquete de fábrica:
8000
Subcategoría:
Transistores
Tags
RN1130M, RN1130, RN113, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
RN1130MFV,L3F

Mfr.#: RN1130MFV,L3F

OMO.#: OMO-RN1130MFV-L3F

 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
RN1130MFV(TPL3)

Mfr.#: RN1130MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN1130MFV-TPL3-

 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms
RN1130MFVL3XGF

Mfr.#: RN1130MFVL3XGF

OMO.#: OMO-RN1130MFVL3XGF-1190

 Nuevo y original
RN1130MFVTPL3

Mfr.#: RN1130MFVTPL3

OMO.#: OMO-RN1130MFVTPL3-1190

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RN1130MFVL3FCT-ND

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RN1130MFVL3FDKR-ND

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RN1130MFVL3FTR-ND

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RN1130F

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RN1130MFV

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RN1130MFV(TL3T)

Mfr.#: RN1130MFV(TL3T)

OMO.#: OMO-RN1130MFV-TL3T--1190

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Valores:
Available
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0,22 US$
10
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1,39 US$
100
0,06 US$
5,80 US$
1000
0,04 US$
40,00 US$
2500
0,03 US$
75,00 US$
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