MRF13750HSR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2.8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 105 V

Ganar:

20.5 dB

Potencia de salida:

750 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-1230S-4S

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

700 MHz to 1300 MHz

Serie:

MRF13750H

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

1.333 kW

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Parte # Alias:

935360898178

Tags

MRF13750H, MRF1375, MRF137, MRF13, MRF1, MRF