IXTP1N80P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTP1N80

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP1N, IXTP1, IXTP, IXT