IPD650P06NMATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

65 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

- 39 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

IPD06P003

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

21 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

IPD650P06NM SP004987256

Tags

IPD65, IPD6, IPD