D1015UK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

TT Electronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

70 V

Ganar:

13 dB

Potencia de salida:

125 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DH

Configuración:

Doble

Altura:

5.08 mm

Longitud:

30.48 mm

Frecuencia de operación:

400 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

19.17 mm

Marca:

Electrónica Semelab / TT

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

350 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V to 7 V

Tags

D1015, D101, D10