ZXTD09N50DE6TC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-6

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

160 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

215 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Altura:

1.3 mm

Longitud:

3.1 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.8 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 20 at 1.5 A, 2 V

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000229 oz

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ZXTD09N50DE6T, ZXTD09N50D, ZXTD09N, ZXTD0, ZXTD, ZXT