RN1111(TE85L,F)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

Y

Configuración:

Único

Polaridad del transistor:

NPN

Resistencia de entrada típica:

10 kOhms

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSM-3

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Frecuencia máxima de funcionamiento:

250 MHz

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Corriente continua del colector:

100 mA

Corriente máxima del colector de CC:

100 mA

Pd - Disipación de energía:

100 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

RN1111

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

700

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

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RN1111, RN111, RN11, RN1