IRF6725MTR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-MX

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

170 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.35 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

DirectFET Power MOSFET

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

150 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Parte # Alias:

SP001530850

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

IRF6725M, IRF6725, IRF672, IRF67, IRF6, IRF