SSM3J325F,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-346-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

311 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

4.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

600 mW

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SSM3J325

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

4.4 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.000423 oz

Tags

SSM3J325, SSM3J32, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM