DMN53D0LDW-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

360 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

600 pC, 600 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

310 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN53

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

11 ns, 11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.5 ns, 2.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns, 19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.7 ns, 2.7 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

DMN53D0L, DMN53, DMN5, DMN