FDW2520C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A, 4.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms, 35 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

4.4 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

30 S, 17 S

Otoño:

19 ns, 37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns, 19 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns, 60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns, 12 ns

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

FDW2520, FDW252, FDW25, FDW2, FDW