IMT1AT110

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

140 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 150 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

IMT1A

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