CSD25501F3T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

260 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.05 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

1.02 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD25501F3

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

3.4 S

Otoño:

945 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

428 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

1154 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

474 ns

Unidad de peso:

0.000011 oz

Tags

CSD25, CSD2, CSD