FCD900N60Z

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

FCD900N60Z

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

4.6 S

Otoño:

11.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.9 ns

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FCD90, FCD9, FCD