BFU725F/N1,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

2.8 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

0.55 V

Corriente continua del colector:

40 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-343

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

10 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

160 at 10 mA at 2 V

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Frecuencia de operación:

55 GHz

Escribe:

Señal pequeña bipolar RF

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Semiconductores NXP

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

55000 MHz

Corriente máxima del colector de CC:

0.04 A

Pd - Disipación de energía:

136 mW

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

934063513115

Unidad de peso:

0.000235 oz

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