RW1A025APT2CR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.65 mm

Longitud:

1.7 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

RW1A025AP

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

1.4 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

3.5 S

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

160 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

RW1A025AP

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

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