US6M1TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363T-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

1.4 nC, 2.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.77 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

US6M1

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.7 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

1 S, 0.7 S

Otoño:

8 nS, 10 nS

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 nS, 8 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 nS, 25 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 nS, 9 nS

Parte # Alias:

US6M1

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

US6M1T, US6M1, US6M, US6