IRF7506TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

7.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.11 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.92 S

Otoño:

9.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.7 ns

Parte # Alias:

SP001572092

Unidad de peso:

0.004268 oz

Tags

IRF7506T, IRF7506, IRF750, IRF75, IRF7, IRF