TPN4R303NL,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSON-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

63 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

14.8 nC

Pd - Disipación de energía:

34 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

3.1 mm

Serie:

TPN4R303NL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.1 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.5 ns

Tags

TPN4R3, TPN4, TPN