HUFA76407DK8T-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

HUF76407DK_F085

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

HUFA76407DK8T_F085

Unidad de peso:

0.008127 oz

Tags

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