IMW120R045M1XKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

52 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

59 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 10 V, 20 V

Qg - Carga de puerta:

52 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

228 W

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IMW120R045

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

11.1 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

24 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

240

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

IMW120R045M1 SP001346254

Tags

IMW120R0, IMW12, IMW1, IMW