PSMN020-100YS,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

43 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

37 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

41 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

106 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

N-Channel 100V 20.5 mOhms Standard Level MOSFET in LFPAK

Ancho:

4.1 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17.4 ns

Tags

PSMN020-10, PSMN020-1, PSMN020, PSMN02, PSMN0, PSMN, PSM