IPD90N03S4L03ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

75 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

94 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

XPD90N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

IPD90N03S4L-03 IPD9N3S4L3XT SP000274978

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPD90N03, IPD90N0, IPD90N, IPD90, IPD9, IPD