TGF2942

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

18 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

-

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

-

Id - Corriente de drenaje continua:

170 mA

Potencia de salida:

2.4 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

2.9 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Paquete de gel

Solicitud:

Defensa y aeroespacial, banda ancha inalámbrica

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

DC to 25 GHz

Serie:

TGF

Marca:

Qorvo

Transconductancia directa - Mín .:

-

NF - Figura de ruido:

1.2 dB

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

1113824

Tags

TGF29, TGF2, TGF