PMH950UPEH

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN0606-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 530 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 0.95 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

0.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

700 mS

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1 ns

Tags

PMH